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Ixys - IXTN600N04T2 - 功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET - IXTN600N04T2
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IXTN600N04T2|Ixys
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IXTN600N04T2
制造商型号： IXTN600N04T2
制造商： Ixys
描述： 功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:IXYS
RoHS: 符合
产品:MOSFET Gate Drivers
激励器数量:Single
上升时间:20 ns
下降时间:250 ns
输出电流:600 A
电源电流:200 A
最大功率耗散:940 W
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-227B
类型:TrenchT2 GigaMOS
最大关闭延迟时间:90 ns
最大开启延迟时间:40 ns
最小工作温度:- 55 C
输出端数量:1
输出电压:40 V
封装:Tube
商标名:TrenchT2 GigaMOS

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