PDF查询| 数据列表 | IXT(H,Q)200N10T |
|---|---|
| 产品相片 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchMV™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 200A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 5.5 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 152nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 550W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
