PDF查询| 数据列表 | IXT(A,P)80N12T2 |
|---|---|
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchT2™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 120V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 80A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 17 毫欧 @ 40A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4740pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 325W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-4，D²Pak（3 引线+接片），TO-263AA |
| 供应商器件封装 | TO-263AA |
