| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IXTA2N100P [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IXTA2N100P [更多] | IXYS Corporation | MOSFET 2 Amps 1000V 7.5 Rds RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IXTA2N100P [更多] | IXYS Corporation | N-Channel 1000 V 2 A 7.5 O Surface Mount Polar Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IXTA2N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IXTA2N100P IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263  | 查价格库存 查看详细 |
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| IXTA2N100P IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 | 查价格库存 查看详细 |
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 | IXTA2N100P IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 | 查价格库存 查看详细 |
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 | IXYS MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263 详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 86W（Tc） TO-263（IXTA） 型号：IXTA2N100P 仓库库存编号：IXTA2N100P-ND | 无铅 |
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 | Ixys MOSFET N, 1000 V 2.0 A 86 W TO-263, IXTA2N100P, Ixys 型号：IXTA2N100P 仓库库存编号：171-31-394 | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IXT(A,P,Y)2N100P |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | Polar™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 7.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 24.3nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 655pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 86W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
