| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IXTA200N085T7 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IXYS MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7 详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 200A（Tc） 480W（Tc） TO-263-7（IXTA..7） 型号：IXTA200N085T7 仓库库存编号：IXTA200N085T7-ND | 无铅 |
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PDF查询| 数据列表 | IXTA200N085T7 |
|---|---|
| 产品相片 | D2Pak_TO-263_6leads |
| PCN Obsolescence | IXT Series 30/Oct/2012 |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchMV™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 85V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 200A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 5 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 152nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 7600pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 480W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB |
| 供应商器件封装 | TO-263-7 |
