| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IXT-1-1N100S1-TR [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IXT-1-1N100S1 [更多] | IXYS Corporation | MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds RoHS: Compliant | 搜索 |
| IXT-1-1N100S1-TR [更多] | IXYS Corporation | MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Ohms Rds
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| IXT-1-1N100S1-TR | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IXT-1-1N100S1 T/R IXYS | IXT 系列 单 N沟道 1000 V 1.5 A 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IXT-1-1N100S1-TR IXYS | MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC 详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 8-SOIC 型号：IXT-1-1N100S1-TR 仓库库存编号：IXT-1-1N100S1-TR-ND | 无铅 | 搜索 |
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| IXT-1-1N100S1 T/R IXYS | IXT 系列 单 N沟道 1000 V 1.5 A 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 产品相片 | 8-SOIC |
|---|---|
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.5A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | - |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
