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IXYS - IXST30N60B2D - Transistor,IGBT,with Diode,35A,600V,IXST30N60B2D1 - IXST30N60B2D
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IXST30N60B2D
制造商型号： IXST30N60B2D
制造商： IXYS
描述： Transistor,IGBT,with Diode,35A,600V,IXST30N60B2D1
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
安装类型表面贴装
宽度14mm
封装类型TO-268
尺寸16.05 x 14 x 5.1mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大栅极发射极电压±20V
最大连续集电极电流48 A
最大集电极-发射极电压600 V
最高工作温度+150 °C
通道类型N
配置单
长度16.05mm
高度5.1mm

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