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IXYS - IXSA10N60B2D1 - IGBT HS W/DIODE 600V 20A TO263 - IXSA10N60B2D1
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IXSA10N60B2D1|IXYS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXSA10N60B2D1
制造商型号: IXSA10N60B2D1
制造商: IXYS
描述: IGBT HS W/DIODE 600V 20A TO263
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 IXS(A,P)10N60B2D1
产品相片 TO-263
PCN Obsolescence IGBT's S Class Type 23/Apr/2013
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭IGBT - 单路
系列-
包装  散装  
IGBT 类型PT
电压 - 集射极击穿(最大值)600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)2.5V @ 15V,10A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)20A
Current - Collector Pulsed (Icm)30A
功率 - 最大值100W
Switching Energy430µJ(关)
输入类型标准
Gate Charge17nC
Td (on/off) A 25°C30ns/180ns
Test Condition-
反向恢复时间 (trr)25ns
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型表面贴装
供应商器件封装TO-263

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