数据列表 | IXGR55N120A3H1 |
---|---|
标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | GenX3™ |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | PT |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.35V @ 15V,55A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 70A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 330A |
功率 - 最大值 | 200W |
Switching Energy | 5.1mJ(开),13.3mJ(关) |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 185nC |
Td (on/off) A 25°C | 23ns/365ns |
Test Condition | - |
反向恢复时间 (trr) | 200ns |
封装/外壳 | TO-247-3 |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | * |