数据列表 | IXG(H,T)32N100A3 |
---|---|
产品相片 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | GenX3™ |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | PT |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1000V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.2V @ 15V,32A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 75A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
功率 - 最大值 | 300W |
Switching Energy | 2.6mJ(开),9.5mJ(关) |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 87nC |
Td (on/off) A 25°C | 24ns/385ns |
Test Condition | 800V,32A,10 欧姆,15V |
反向恢复时间 (trr) | - |
封装/外壳 | TO-247-3 |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-247AD |