数据列表 | IXG(A,P,H)30N120B3 |
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产品相片 | TO-263-3, TS3B |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | GenX3™ |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | PT |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 3.5V @ 15V,30A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 30A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 150A |
功率 - 最大值 | 300W |
Switching Energy | 3.47mJ(开),2.16mJ(关) |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 87nC |
Td (on/off) A 25°C | 16ns/127ns |
Test Condition | - |
反向恢复时间 (trr) | - |
封装/外壳 | TO-263-4,D²Pak(3 引线+接片),TO-263AA |
安装类型 | 表面贴装 |
供应商器件封装 | TO-263 |