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IXYS - IXFX32N50 - MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 - IXFX32N50
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IXFX32N50
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IXYS Corporation

MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247

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IXFX32N50Q
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IXYS Corporation

MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247

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MOSFET 32 Amps 500V 0.16 Rds

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MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds

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IXYS - IXFX32N50Q - MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
IXYS
MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247

详细描述:通孔 N 沟道 500V 32A(Tc) 416W(Tc) PLUS247?-3

型号:IXFX32N50Q
仓库库存编号:IXFX32N50Q-ND

无铅
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IXYS - IXFX32N50 - MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
IXYS
MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247

详细描述:通孔 N 沟道 500V 32A(Tc) 360W(Tc) PLUS247?-3

型号:IXFX32N50
仓库库存编号:IXFX32N50-ND

无铅
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IXFX32N50|IXYS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXFX32N50
制造商型号: IXFX32N50
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 IXFX32N50
产品相片 TO-247-3
标准包装  30
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HiPerFET™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)32A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)150 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)300nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)5450pF @ 25V
功率 - 最大值360W
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3
供应商器件封装PLUS247?-3

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