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IXYS - IXFX170N20T - MOSFET N-CH 170A 200V PLUS247 - IXFX170N20T
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MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247

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MOSFET 170A 200V

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IXFX170N20T
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IXYS Corporation

N-Channel 200 V 170 A 11 mO Through Hole GigaMOS Power Mosfet - PLUS247

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IXYS - IXFX170N20T - MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247
IXYS
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247

详细描述:通孔 N 沟道 200V 170A(Tc) 1150W(Tc) PLUS247?-3

型号:IXFX170N20T
仓库库存编号:IXFX170N20T-ND
无铅
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MOSFET N-CH 170A 200V PLUS247
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IXFX170N20T|IXYS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXFX170N20T
制造商型号: IXFX170N20T
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 170A 200V PLUS247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
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产品信息
数据列表 IXF(K,X)170N20T
产品相片 TO-247-3
标准包装  30
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列GigaMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)170A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)11 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)265nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)19600pF @ 25V
功率 - 最大值1150W
安装类型通孔
封装/外壳TO-247-3
供应商器件封装PLUS247?-3

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