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IXYS - IXFV18N60PS - MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD - IXFV18N60PS
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IXFV18N60PS
制造商型号: IXFV18N60PS
制造商: IXYS
描述: MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 IXFH18N60P, IXFV18N60P/PS
PCN Obsolescence Multiple Devices 22/Feb/2013
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列PolarHV™ HiPerFET™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)18A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)400 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)5.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2500pF @ 25V
功率 - 最大值360W
安装类型表面贴装
封装/外壳PLUS-220SMD
供应商器件封装PLUS-220SMD

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