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| IXFV12N120PS [更多] | IXYS Corporation | MOSFET 12 Amps 1200V 1 Rds RoHS: Compliant | 搜索 |
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 | IXYS MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD 详细描述：表面贴装 N 沟道 1200V 12A（Tc） 543W（Tc） PLUS-220SMD 型号：IXFV12N120PS 仓库库存编号：IXFV12N120PS-ND |  | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | IXF(H,V)12N120P/S |
|---|---|
| PCN Obsolescence | Multiple Devices 03/Dec/2012 |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | Polar™ HiPerFET™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 12A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 1.35 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 103nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5400pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 543W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PLUS-220SMD |
| 供应商器件封装 | PLUS-220SMD |
