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IXYS - IXFR64N60 - MOSFET,N沟道,600V,36A,ISOPLUS247 - IXFR64N60
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型号 制造商 描述 操作
IXFR64N60Q3
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IXYS Corporation

MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247

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IXFR64N60P
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IXYS Corporation

MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IXFR64N60Q3
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IXYS Corporation

MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A

RoHS: Compliant

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IXFR64N60P
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IXYS Corporation

MOSFET DIODE Id36 BVdass600

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  新加坡1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IXFR64N60P
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IXYS Corporation

N-Channel 600 V 36 A 105 mO PolarHT HiPerFET Power Mosfet - ISOPLUS-247

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无图IXFR64N60
IXYS
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IXFR64N60P|IXYSIXFR64N60P
IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247
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IXFR64N60Q3|IXYSIXFR64N60Q3
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MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
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IXYS - IXFR64N60P - IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR64N60P, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 ISOPLUS247封装

制造商零件编号:
IXFR64N60P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-489
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IXYS - IXFR64N60Q3 - IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR64N60Q3, 42 A, Vds=600 V, 3引脚 ISOPLUS247封装

制造商零件编号:
IXFR64N60Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1455
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IXFR64N60P|IXYSIXFR64N60P
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MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
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IXYS
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MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247
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IXYS - IXFR64N60P - MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247
IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247

详细描述:通孔 N 沟道 600V 36A(Tc) 320W(Tc) ISOPLUS247?

型号:IXFR64N60P
仓库库存编号:IXFR64N60P-ND
无铅

IXYS - IXFR64N60Q3 - MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
IXYS
MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247

详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 568W(Tc) ISOPLUS247?

型号:IXFR64N60Q3
仓库库存编号:IXFR64N60Q3-ND
无铅
无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXFR64N60
制造商型号: IXFR64N60
制造商: IXYS
描述: MOSFET,N沟道,600V,36A,ISOPLUS247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
典型关断延迟时间79 ns
典型接通延迟时间28 ns
典型栅极电荷@Vgs200 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds12000 pF V @ 25
安装类型通孔
宽度5.21mm
封装类型ISOPLUS-247
尺寸16.13 x 5.21 x 21.34mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散360000 mW
最大栅源电压±30 V
最大漏源电压600 V
最大漏源电阻值0.105 Ω
最大连续漏极电流36 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度16.13mm
高度21.34mm

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