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Ixys - IXFN30N110P - MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds - IXFN30N110P
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IXFN30N110P|Ixys
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IXFN30N110P
制造商型号： IXFN30N110P
制造商： Ixys
描述： MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:IXYS
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:1100 V
闸/源击穿电压:+/- 30 V
漏极连续电流:25 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）:360 mOhms
配置:Single Dual Source
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-227B
封装:Tube
下降时间:52 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:695 W
上升时间:48 ns
工厂包装数量:10
典型关闭延迟时间:83 ns

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXFN30N110P
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