Ixys - IXFN210N20P - MOSFET 188 Amps 200V 0.0105 Rds - IXFN210N20P
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IXFN210N20P
- MOSFET 188 Amps 200V 0.0105 Rds - IXFN210N20P
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IXFN210N20P
制造商型号:
IXFN210N20P
制造商:
Ixys
描述:
MOSFET 188 Amps 200V 0.0105 Rds
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:
IXYS
RoHS:
符合
晶体管极性:
N-Channel
汲极/源极击穿电压:
200 V
闸/源击穿电压:
+/- 20 V
漏极连续电流:
188 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):
10.5 mOhms
配置:
Single
最大工作温度:
+ 175 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-227B
封装:
Tube
最小工作温度:
- 55 C
功率耗散:
1070 W
工厂包装数量:
10
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
IXFN210N20P
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IXFN210N20P
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型号: IXFN210N20P 品牌: Ixys 备注: MOSFET 188 Amps 200V 0.0105 Rds
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Q Q:
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