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Ixys - IXFN140N20P - MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds - IXFN140N20P
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型号 制造商 描述 操作
IXFN140N20P
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IXYS Corporation

MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXFN140N20P
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IXYS Corporation

MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds

RoHS: Compliant

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IXFN140N20P
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IXYS Corporation

Trans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B

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IXFN140N20P
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IXYS Corporation

Trans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IXFN140N20P
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IXYS Corporation

MOSFET, N, SOT-227B

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型号 制造商 描述 操作
IXFN140N20P
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IXYS Corporation

Single N-Channel 200 Vds 18 mOhm 680 W Power Mosfet - SOT-227B

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXFN140N20P|IxysIXFN140N20P
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MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds
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IXFN140N20P|IXYSIXFN140N20P
IXYS
MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IXFN140N20P
IXYS SEMICONDUCTOR IXFN140N20P
1427319

IXYS SEMICONDUCTOR

晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 140 A, 200 V, 18 mohm, 10 V, 5 V

(EN)
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

IXYS - IXFN140N20P - IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN140N20P, 115 A, Vds=200 V, 4引脚 SOT-227B封装

制造商零件编号:
IXFN140N20P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-616
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IXYS - IXFN140N20P - IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN140N20P, 115 A, Vds=200 V, 4引脚 SOT-227B封装

制造商零件编号:
IXFN140N20P
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0735
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

IXYS - IXFN140N20P - MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
IXYS
MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B

详细描述:底座安装 N 沟道 115A(Tc) 680W(Tc) SOT-227B

型号:IXFN140N20P
仓库库存编号:IXFN140N20P-ND

无铅
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IXFN140N20P|Ixys
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXFN140N20P
制造商型号: IXFN140N20P
制造商: Ixys
描述: MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:IXYS
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:200 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:115 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):18 mOhms
配置:Single Dual Source
最大工作温度:+ 175 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-227B
封装:Tube
下降时间:90 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:680 W
上升时间:35 ns
工厂包装数量:10
典型关闭延迟时间:150 ns

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXFN140N20P
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