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IXYS - IXFN102N30P - IXFN 系列 单通道 N 沟道 500 Vds 33 mOhm 600 W 功率 MOSFET - SOT-227B - IXFN102N30P
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IXFN102N30P
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IXYS Corporation

MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B

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IXFN102N30P
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IXYS Corporation

MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds

RoHS: Compliant

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IXYS Corporation

MOSFET MODULE, N-CH, 300V, 86A, SOT-227

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IXFN102N30P
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IXYS Corporation

Single N-Channel 500 Vds 33 mOhm 600 W Power Mosfet - SOT-227B

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IXFN102N30P IXYS IXFN 系列 单通道 N 沟道 500 Vds 33 mOhm 600 W 功率 MOSFET - SOT-227B 查看库存、价格及货期
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IXYS - IXFN102N30P - MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B

详细描述:底座安装 N 沟道 300V 88A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B

型号:IXFN102N30P
仓库库存编号:IXFN102N30P-ND
无铅
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IXYS - IXFN102N30P - IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN102N30P, 86 A, Vds=300 V, 4引脚 SOT-227B封装

制造商零件编号:
IXFN102N30P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-464
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IXFN102N30P|IXYSIXFN102N30P
IXYS
IXFN 系列 单通道 N 沟道 500 Vds 33 mOhm 600 W 功率 MOSFET - SOT-227B
Rohs

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IXFN102N30P
IXYS SEMICONDUCTOR IXFN102N30P
2674759

IXYS SEMICONDUCTOR

单晶体管 双极, N沟道, 86 A, 300 V, 0.033 ohm, 10 V, 5 V

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MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
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IXFN102N30P|IXYS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXFN102N30P
制造商型号: IXFN102N30P
制造商: IXYS
描述: IXFN 系列 单通道 N 沟道 500 Vds 33 mOhm 600 W 功率 MOSFET - SOT-227B
技术参考: Rohs PDF查询
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订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 300 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 33 mΩ
  • Qg Gate Charge: 223 nC
  • Rated Power Dissipation: 600 W

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