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IXYS - IXFK26N120 - MOSFET,N沟道,1.2KV,26A,TO264 - IXFK26N120
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型号 制造商 描述 操作
IXFK26N120P
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IXYS Corporation

MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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  美国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IXFK26N120P
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IXYS Corporation

MOSFET 26 Amps 1200V

RoHS: Compliant

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  日本1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IXFK26N120P
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IXYS Corporation

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-264

RoHS: Compliant | pbFree: No

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型号 制造商 描述 操作
IXFK26N120P
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IXYS Corporation

Trans MOSFET N-CH 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-264

RoHS: Compliant

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  新加坡2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IXFK26N120P
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IXYS Corporation

MOSFET, N-CH, 1.2KV, 26A, TO-264

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无图IXFK26N120
IXYS
MOSFET,N沟道,1.2KV,26A,TO264
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IXFK26N120P|IXYSIXFK26N120P
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264
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无图IXFK26N120
IXYS
MOSFET,N沟道,1.2KV,26A,TO264
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IXFK26N120P|IXYSIXFK26N120P
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MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264
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IXFK26N120P|IXYSIXFK26N120P
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MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IXFK26N120P
IXYS SEMICONDUCTOR IXFK26N120P
2674754

IXYS SEMICONDUCTOR

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, 10 V, 6.5 V

(EN)
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

IXYS - IXFK26N120P - MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 26A TO-264

详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 960W(Tc) TO-264AA(IXFK)

型号:IXFK26N120P
仓库库存编号:IXFK26N120P-ND
无铅
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

IXYS - IXFK26N120P - IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFK26N120P, 26 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-264封装

制造商零件编号:
IXFK26N120P
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0877
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IXYS - IXFK26N120P - IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFK26N120P, 26 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-264封装

制造商零件编号:
IXFK26N120P
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5360
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无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXFK26N120
制造商型号: IXFK26N120
制造商: IXYS
描述: MOSFET,N沟道,1.2KV,26A,TO264
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间76 ns
典型接通延迟时间56 ns
典型栅极电荷@Vgs225 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds14000 pF V @ 25
安装类型通孔
宽度5.13mm
封装类型TO-264
尺寸19.96 x 5.13 x 26.16mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散960 W
最大栅源电压±30 V
最大漏源电压1200 V
最大漏源电阻值0.46 Ω
最大连续漏极电流26 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置
长度19.96mm
高度26.16mm

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXFK26N120
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