数据列表 | IXF(K,X)230N20T |
---|---|
产品相片 | TO-264 |
标准包装 | 25 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | GigaMOS™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 230A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 7.5 毫欧 @ 60A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 8mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 378nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 28000pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1670W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
供应商器件封装 | TO-264 |