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| IXFH66N20Q [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IXFH66N20Q [更多] | IXYS Corporation | MOSFET 66 Amps 200V 0.04 Rds RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IXFH66N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IXYS MOSFET N-CH 200V 66A TO-247 详细描述：通孔 N 沟道 200V 66A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH） 型号：IXFH66N20Q 仓库库存编号：IXFH66N20Q-ND | 无铅 |
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 | IXFH66N20Q IXYS | MOSFET N-CH 200V 66A TO-247  | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | IXF(H,T)66N20Q |
|---|---|
| 产品相片 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HiPerFET™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 66A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 40 毫欧 @ 33A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 4mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 105nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3700pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 400W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
