| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IXFH36N60P [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IXFH36N60P [更多] | IXYS Corporation | MOSFET 600V 36A RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IXFH36N60P [更多] | IXYS Corporation | Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IXFH36N60P [更多] | IXYS Corporation | Trans MOSFET N-CH 600V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IXFH36N60P [更多] | IXYS Corporation | MOSFET, N, TO-247
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| IXFH36N60P [更多] | IXYS Corporation | N-Channel 600 V 36 A 190 mO PolarHT hiPerFET Power Mosfet - TO-247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IXFH36N60P [更多] | IXYS Corporation | 36 A, 600 V, 0.19 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-247AD
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IXFH36N60 | IXYS | MOSFET，N沟道，600V，36A，TO247 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IXFH36N60 IXYS | MOSFET，N沟道，600V，36A，TO247 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IXFH36N60P IXYS | MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| IXFH36N60 IXYS | MOSFET，N沟道，600V，36A，TO247 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IXFH36N60P IXYS | MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 | 查价格库存 查看详细 |
 | IXFH36N60P IXYS SEMICONDUCTOR | 场效应管 MOSFET N型 TO-247 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IXFH36N60P IXYS | MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | IXYS MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 650W（Tc） TO-247AD（IXFH） 型号：IXFH36N60P 仓库库存编号：IXFH36N60P-ND | | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IXFH36N60P 品牌： IXYS 库存编号： 194-467 | 搜索 | ||
| 制造商零件编号： IXFH36N60P 品牌： IXYS 库存编号： 920-0763 | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IXFH36N60P | 1427299 | IXYS SEMICONDUCTOR 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 600 V, 190 mohm, 10 V, 5 V (EN) | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 80 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 30 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 102 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 5800 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 5.3mm | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 尺寸 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 650000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.19 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 36 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 16.26mm | |
| 高度 | 21.46mm |
