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Ixys - IXFE23N100 - MOSFET 21 Amps 1000V 0.43 Rds - IXFE23N100
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IXFE23N100
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IXYS Corporation

MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXFE23N100
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IXYS Corporation

MOSFET 21 Amps 1000V 0.43 Rds

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IXYS - IXFE23N100 - MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227

详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 21A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B

型号:IXFE23N100
仓库库存编号:IXFE23N100-ND
无铅
IXFE23N100|Ixys
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXFE23N100
制造商型号: IXFE23N100
制造商: Ixys
描述: MOSFET 21 Amps 1000V 0.43 Rds
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:IXYS
RoHS: 符合
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:1000 V
闸/源击穿电压:+/- 20 V
漏极连续电流:21 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):430 mOhms
配置:Single Dual Source
最大工作温度:+ 150 C
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:ISOPLUS 227
封装:Box
下降时间:21 ns
最小工作温度:- 55 C
功率耗散:500 W
上升时间:35 ns
工厂包装数量:1
典型关闭延迟时间:75 ns

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