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IXFA7N100P [更多] | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IXFA7N100P [更多] | IXYS Corporation | Single N-Channel 1000 V 1.8 Ohm 47 nC 300 W MOSFET - TO-263 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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IXFA7N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | IXYS MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK 详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXFA) 型号:IXFA7N100P 仓库库存编号:IXFA7N100P-ND | 无铅 |
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数据列表 | IXF(A,P)7N100P |
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产品相片 | TO-263 |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | Polar™ HiPerFET™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 1000V(1kV) |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 7A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 1.9 欧姆 @ 3.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 6V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 47nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2590pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 300W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |