数据列表 | IXB(K,X)75N170 |
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产品相片 | TO-247-3 |
标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | BIMOSFET™ |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | - |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1700V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 3.1V @ 15V,75A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 580A |
功率 - 最大值 | 1040W |
Switching Energy | - |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 350nC |
Td (on/off) A 25°C | - |
Test Condition | - |
反向恢复时间 (trr) | 1.5µs |
封装/外壳 | TO-247-3 |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | * |