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IXYS - IXBX75N170 - IGBT BIMOSFET 1700V 200A PLUS247 - IXBX75N170
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IXBX75N170|IXYS
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IXBX75N170
制造商型号: IXBX75N170
制造商: IXYS
描述: IGBT BIMOSFET 1700V 200A PLUS247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
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产品信息
数据列表 IXB(K,X)75N170
产品相片 TO-247-3
标准包装  30
类别分立半导体产品
家庭IGBT - 单路
系列BIMOSFET™
包装  管件  
IGBT 类型-
电压 - 集射极击穿(最大值)1700V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)3.1V @ 15V,75A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)200A
Current - Collector Pulsed (Icm)580A
功率 - 最大值1040W
Switching Energy-
输入类型标准
Gate Charge350nC
Td (on/off) A 25°C-
Test Condition-
反向恢复时间 (trr)1.5µs
封装/外壳TO-247-3
安装类型通孔
供应商器件封装*

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXBX75N170
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