PDF查询| 数据列表 | IXB(P,H)5N160G |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | BIMOSFET™ |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 7.2V @ 15V，3A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 5.7A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 6A |
| 功率 - 最大值 | 68W |
| Switching Energy | - |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 26nC |
| Td (on/off) A 25°C | - |
| Test Condition | - |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247AD |
