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IXYS - IFXN48N50Q - IFXN 系列 单通道 N 沟道 200 Vds 0.1 Ohm 60 nC 520 W 功率 MOSFET - SOT-227B - IFXN48N50Q
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IFXN48N50Q
制造商型号： IFXN48N50Q
制造商： IXYS
描述： IFXN 系列 单通道 N 沟道 200 Vds 0.1 Ohm 60 nC 520 W 功率 MOSFET - SOT-227B
技术参考： Rohs PDF查询
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产品信息
  • Channel Type: N-Channel
  • Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 500 V
  • Drain-Source On Resistance-Max: 0.1 Ω
  • Qg Gate Charge: 60 nC
  • Rated Power Dissipation: 520 W

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