创唯电子
IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT30N60L2 - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 30A TO-268 - IXTT30N60L2
登录  |  购物车(0)  |  注册    
库存查询
您现在的位置: 首页 > 制造商索引 > IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT30N60L2 - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 30A TO-268 - IXTT30N60L2
搜索查看价格,货期,PDF,及最新库存

50个仓库,1500万条库存数据任选


数据正在加载中...
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IXTT30N60L2
[更多]
IXYS Corporation

MOSFET N-CH 600V 30A TO-268

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看资料
  美国2号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IXTT30N60L2
[更多]
IXYS Corporation

MOSFET 30 Amps 600V

RoHS: Compliant

搜索
  新加坡1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IXTT30N60L2
[更多]
IXYS Corporation

N-Channel 600 V 30 A 240 mO Surface Mount Linear L2 Power Mosfet - TO-268

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
查看更多最新库存及价格请点击搜索按钮,以下列表只显示产品部分信息。
  自家仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 库存 起订量 单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
IXTT30N60L2 IXYS SEMICONDUCTOR 场效应管 MOSFET N沟道 600V 30A TO-268 查看库存、价格及货期
  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IXTT30N60L2|IXYSIXTT30N60L2
IXYS
MOSFET N-CH 30A 600V TO-268
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.com.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IXTT30N60L2|IXYSIXTT30N60L2
IXYS
MOSFET N-CH 30A 600V TO-268
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
IXTT30N60L2|IXYSIXTT30N60L2
IXYS
MOSFET N-CH 30A 600V TO-268
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
IXTT30N60L2|IXYS SEMICONDUCTORIXTT30N60L2
IXYS SEMICONDUCTOR
场效应管 MOSFET N沟道 600V 30A TO-268
Rohs

PDF下载 
查价格库存
查看详细
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

IXYS - IXTT30N60L2 - MOSFET N-CH 600V 30A TO-268
IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268

详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 540W(Tc) TO-268

型号:IXTT30N60L2
仓库库存编号:IXTT30N60L2-ND

无铅
搜索
IXTT30N60L2|IXYS SEMICONDUCTOR
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXTT30N60L2
制造商型号: IXTT30N60L2
制造商: IXYS SEMICONDUCTOR
描述: 场效应管 MOSFET N沟道 600V 30A TO-268
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 600V 30A TO-268
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 30A
  • 漏源电压, Vds: 600V
  • 在电阻RDS(上): 240mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 功耗, Pd: 540W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-268
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 30A
  • 电压, Vgs 最高: 20V

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXTT30N60L2
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: IXTT30N60L2
询价
  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
类似产品
电话:400-900-3095 邮箱:sales@szcwdz.com QQ:800152669
Copyright © 深圳市创唯电子有限公司 www.szcwdz.cn 粤ICP备11103613号