创唯电子
IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ170N10P - 场效应管 MOSFET N TO-3P - IXTQ170N10P
库存查询
您现在的位置： 首页 > 制造商索引 > IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ170N10P - 场效应管 MOSFET N TO-3P - IXTQ170N10P
搜索查看价格，货期，PDF，及最新库存

50个仓库，1500万条库存数据任选
IXTQ170N10P|IXYS SEMICONDUCTOR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IXTQ170N10P
制造商型号： IXTQ170N10P
制造商： IXYS SEMICONDUCTOR
描述： 场效应管 MOSFET N TO-3P
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N TO-3P
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 170A
  • 漏源电压, Vds: 100V
  • 在电阻RDS（上）: 9mohm
  • 电压 @ Rds测量: 15V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 5V
  • 功耗, Pd: 714W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: TO-3P
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 封装/箱盒: TO-3P
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 时间, trr 最大: 120ns
  • 栅极电荷 Qg N沟道: 198nC
  • 漏极电流, Id 最大值: 170A
  • 热阻, 结点至外壳A: 0.21°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 100V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电容值, Ciss 典型值: 6000pF
  • 表面安装器件: 通孔
产地： DE Germany

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXTQ170N10P
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: IXTQ170N10P
询价
  • *所需产品：
  • *联系人：
  • *联系电话：
  • *电子邮箱：
  • 备注内容：
  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
类似产品
电话：400-900-3095 邮箱：sales@szcwdz.com QQ：800152669
Copyright © 深圳市创唯电子有限公司 www.szcwdz.cn 粤ICP备11103613号