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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR200N10P - 场效应管 MOSFET N ISOPLUS247 - IXFR200N10P
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IXFR200N10P|IXYS SEMICONDUCTOR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IXFR200N10P
制造商型号： IXFR200N10P
制造商： IXYS SEMICONDUCTOR
描述： 场效应管 MOSFET N ISOPLUS247
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N ISOPLUS247
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 133A
  • 漏源电压, Vds: 100V
  • 在电阻RDS（上）: 9mohm
  • 电压 @ Rds测量: 15V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 5V
  • 功耗, Pd: 300W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: ISOPLUS-247
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功??, Pd: 300W
  • 功耗, Pd: 300W
  • 封装/箱盒: ISOPLUS-247
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 时间, trr 最大: 150ns
  • 栅极电荷 Qg N沟道: 235nC
  • 漏极电流, Id 最大值: 133A
  • 热阻 Rth: 0.5
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 100V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电容值, Ciss 典型值: 7600pF
  • 表面安装器件: 通孔
  • 隔离电压: 2.5kV
产地： DE Germany

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXFR200N10P
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