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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN60N60 - 场效应管 MOSFET N SOT-227B - IXFN60N60
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IXFN60N60|IXYS SEMICONDUCTOR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IXFN60N60
制造商型号： IXFN60N60
制造商： IXYS SEMICONDUCTOR
描述： 场效应管 MOSFET N SOT-227B
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N SOT-227B
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 60A
  • 漏源电压, Vds: 600V
  • 在电阻RDS（上）: 75mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 4.5V
  • 功耗, Pd: 600W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: ISOTOP
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功耗, Pd: 600W
  • 功耗, Pd: 600W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas: 4J
  • 封装/箱盒: ISOTOP
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管数: 1
  • 最大重复雪崩能量 Ear: 64mJ
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 60A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 600V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电流, Idm 脉冲: 240A
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 结温, Tj 最小值: -55°C
  • 表面安装器件: 螺丝
  • 通态电阻最大值: 75mohm
  • 重量: 0.04kg
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 4.5V
  • 隔离电压: 2.5kV
产地： US United States

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXFN60N60
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