IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN39N90 - 场效应管 MOSFET N SOT-227B - IXFN39N90
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IXFN39N90
制造商型号:
IXFN39N90
制造商:
IXYS SEMICONDUCTOR
描述:
场效应管 MOSFET N SOT-227B
技术参考:
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库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N SOT-227B
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 39A
漏源电压, Vds: 900V
在电阻RDS(上): 220mohm
功耗, Pd: 700W
封装类型: SOT-227B
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 700W
功耗, Pd: 700W
单脉冲雪崩能量 Eas: 4J
封装/箱盒: SOT-227B (ISOTOP)
晶体管数: 1
最大重复雪崩能量 Ear: 64mJ
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
电流, Idm 脉冲: 154A
结温, Tj 最大值: 150°C
结温, Tj 最小值: -55°C
通态电阻最大值: 220mohm
重量: 0.000036kg
阈值电压, Vgs th 最高: 5V
隔离电压: 2.5kV
产地: US United States
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
IXFN39N90
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型号: IXFN39N90 品牌: IXYS SEMICONDUCTOR 备注: 场效应管 MOSFET N SOT-227B
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