创唯电子
IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN24N100 - 场效应管 MOSFET N SOT-227B - IXFN24N100
库存查询
您现在的位置： 首页 > 制造商索引 > IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN24N100 - 场效应管 MOSFET N SOT-227B - IXFN24N100
搜索查看价格，货期，PDF，及最新库存

50个仓库，1500万条库存数据任选
IXFN24N100|IXYS SEMICONDUCTOR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IXFN24N100
制造商型号： IXFN24N100
制造商： IXYS SEMICONDUCTOR
描述： 场效应管 MOSFET N SOT-227B
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N SOT-227B
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 24A
  • 漏源电压, Vds: 1kV
  • 在电阻RDS（上）: 390mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 5.5V
  • 功耗, Pd: 600W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: ISOTOP
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功耗, Pd: 600W
  • 功耗, Pd: 600W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas: 3J
  • 封装/箱盒: ISOTOP
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 时间, trr 典型值: 250ns
  • 晶体管数: 1
  • 最大重复雪崩能量 Ear: 60mJ
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 24A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 1kV
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电压变化率 dv/dt: 5V/μs
  • 电流, Idm 脉冲: 96A
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 结温, Tj 最小值: -55°C
  • 表面安装器件: 螺丝
  • 通态电阻最大值: 390mohm
  • 重量: 0.04kg
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 5V
  • 隔离电压: 2.5kV
产地： US United States

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXFN24N100
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: IXFN24N100
询价
  • *所需产品：
  • *联系人：
  • *联系电话：
  • *电子邮箱：
  • 备注内容：
  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
类似产品
电话：400-900-3095 邮箱：sales@szcwdz.com QQ：800152669
Copyright © 深圳市创唯电子有限公司 www.szcwdz.cn 粤ICP备11103613号