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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFN170N10 - 场效应管 MOSFET N SOT-227B 每管10只 - IXFN170N10
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IXFN170N10|IXYS SEMICONDUCTOR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IXFN170N10
制造商型号： IXFN170N10
制造商： IXYS SEMICONDUCTOR
描述： 场效应管 MOSFET N SOT-227B 每管10只
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 晶体管极性:?频道
  • 电流, Id 连续: 170A
  • 电压, Vds 最大: 100V
  • 在电阻RDS（上）: 10mohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
  • 功耗, Pd: 600W
  • 封装类型: ISOTOP
  • 功率, Pd: 600W
  • 功耗: 600W
  • 封装类型: ISOTOP
  • 晶体管数: 1
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 100V
  • 电流, Idm 脉冲: 680A
  • 表面安装器件: 通孔安装
  • 通态电阻, Rds on 最大: 10mohm
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 4V
产地： DE Germany

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXFN170N10
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