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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK30N100Q2 - 场效应管 MOSFET N TO-264 - IXFK30N100Q2
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IXFK30N100Q2|IXYS SEMICONDUCTOR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IXFK30N100Q2
制造商型号： IXFK30N100Q2
制造商： IXYS SEMICONDUCTOR
描述： 场效应管 MOSFET N TO-264
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N TO-264
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 30A
  • 漏源电压, Vds: 1kV
  • 在电阻RDS（上）: 400mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 5V
  • 功耗, Pd: 735W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-264
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功耗, Pd: 735W
  • 功耗, Pd: 735W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas: 4J
  • 封装/箱盒: TO-264
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 时间, trr 典型值: 250ns
  • 晶体管数: 1
  • 最大重复雪崩能量 Ear: 60mJ
  • 栅极电荷 Qg N沟道: 186nC
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 30A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 1kV
  • 电压, Vgs 最高: 30V
  • 电压变化率 dv/dt: 20V/ns
  • 电流, Idm 脉冲: 120A
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 结温, Tj 最小值: -55°C
  • 表面安装器件: 通孔
  • 通态电阻最大值: 400mohm
  • 重量: 0.00001kg
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 5V
产地： DE Germany

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