创唯电子
IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30Q - 场效??管 MOSFET N TO-247 - IXFH52N30Q
库存查询
您现在的位置: 首页 > 制造商索引 > IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH52N30Q - 场效??管 MOSFET N TO-247 - IXFH52N30Q
搜索查看价格,货期,PDF,及最新库存

50个仓库,1500万条库存数据任选
IXFH52N30Q|IXYS SEMICONDUCTOR
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IXFH52N30Q
制造商型号: IXFH52N30Q
制造商: IXYS SEMICONDUCTOR
描述: 场效??管 MOSFET N TO-247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N TO-247
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 52A
  • 漏源电压, Vds: 300V
  • 在电阻RDS(上): 60mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
  • 功耗, Pd: 360W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-247
  • 针脚数: 3
  • MSL: (不适用)
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功耗, Pd: 360W
  • 功耗, Pd: 360W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas: 1.5J
  • 封装/箱盒: TO-247
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 时间, trr 典型值: 250ns
  • 晶体管数: 1
  • 最大重复雪崩能量 Ear: 30mJ
  • 栅极电荷 Qg N沟道: 150nC
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 52A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 300V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 电压变化率 dv/dt: 5V/ns
  • 电流, Idm 脉冲: 205A
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 结温, Tj 最小值: -55°C
  • 表面安装器件: 通孔
  • 通态电阻最大值: 60mohm
  • 重量: 6g
  • 阈值电压, Vgs th ??高: 4V
产地: DE Germany

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IXFH52N30Q
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: IXFH52N30Q
询价
  • *所需产品:
  • *联系人:
  • *联系电话:
  • *电子邮箱:
  • 备注内容:
  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
类似产品
电话:400-900-3095 邮箱:sales@szcwdz.com QQ:800152669
Copyright © 深圳市创唯电子有限公司 www.szcwdz.cn 粤ICP备11103613号