IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH30N40Q - 场效??管 MOSFET N TO-247 - IXFH30N40Q
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IXFH30N40Q
制造商型号:
IXFH30N40Q
制造商:
IXYS SEMICONDUCTOR
描述:
场效??管 MOSFET N TO-247
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N TO-247
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 30A
漏源电压, Vds: 400V
在电阻RDS(上): 160mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
功耗, Pd: 300W
封装类型: TO-247
针脚数: 3
MSL: (不适用)
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 300W
功耗, Pd: 300W
单脉冲雪崩能量 Eas: 1.5J
封装/箱盒: TO-247
时间, trr 典型值: 250ns
晶体管数: 1
最大重复雪崩能量 Ear: 30mJ
栅极电荷 Qg N沟道: 95nC
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 400V
电压变化率 dv/dt: 5V/ns
电流, Idm 脉冲: 120A
结温, Tj 最大值: 150°C
结温, Tj 最小值: -55°C
表面安装器件: 通孔
通态电阻最大值: 160mohm
重量: 6g
阈值电压, Vgs th 最高: 4V
产地: DE Germany
旗下站点
www.szcwdz.com
相关详细信息:
IXFH30N40Q
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
相关详细信息:
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