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IXYS RF - IXZH08N120 - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD - IXZH08N120
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IXZH08N120|IXYS RF
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IXZH08N120
制造商型号： IXZH08N120
制造商： IXYS RF
描述： 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD
  • 晶体管类型: RF MOSFET
  • 漏源电压, Vds: 1.2kV
  • 电流, Id 连续: 8A
  • 功耗, Pd: 300W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: TO-247AD
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 上升时间: 4ns
  • 功耗, Pd: 300W
  • 功耗最大值: 300W
  • 在电阻RDS（上）: 2.1ohm
  • 封装/箱盒: TO-247AD
  • 封装类型: TO-247AD
  • 封装类型, 其它: SOT-249
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 20V
  • 电压, Vds 典型值: 1.2kV
  • 电容值, Ciss 典型值: 1960pF
  • 电流, Idm 脉冲: 40A
  • 表面安装器件: 通孔
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 6.5V
产地： US United States

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