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IXYS RF - IXFH12N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD - IXFH12N50F
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IXFH12N50F|IXYS RF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IXFH12N50F
制造商型号： IXFH12N50F
制造商： IXYS RF
描述： 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD
  • 晶体管类型: RF MOSFET
  • 漏源电压, Vds: 500V
  • 电流, Id 连续: 12A
  • 功耗, Pd: 180W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-247AD
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 上升时间: 14ns
  • 功耗, Pd: 180W
  • 功耗最大值: 180W
  • 在电阻RDS（上）: 400mohm
  • 封装/箱盒: TO-247AD
  • 封装类型: TO-247AD
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 工作频率范围: -
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 500V
  • 电容值, Ciss 典型值: 1870pF
  • 表面安装器件: 通孔
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 5V
产地： US United States

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