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ISSI - IS43DR16160B-3DBLI - 动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 333MHz 16M x 16 DDR2 - IS43DR16160B3DBLI
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IS43DR16160B-3DBLI
库存编号:IS43DR16160B-3DBLI-ND
Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA0
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IS43DR16160B-3DBLI-TR
库存编号:IS43DR16160B-3DBLI-TR-ND
Integrated Silicon Solution Inc IC DRAM 256MBIT PAR 84TWBGA0
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IS43DR16160B-3DBLI
库存编号:IS43DR16160B-3DBLI
Integrated Silicon Solution Inc DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 16M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA - Bulk (Alt: IS43DR16160B-3DBLI)0
418起订
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IS43DR16160B-3DBLI-TR
库存编号:IS43DR16160B-3DBLI-TR
Integrated Silicon Solution Inc DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 16M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA T/R - Tape and Reel (Alt: IS43DR16160B-3DBLI-TR)0
2500起订
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IS43DR16160B-3DBLI
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Integrated Silicon Solution Inc

IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA

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IS43DR16160B-3DBLI-TR
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Integrated Silicon Solution Inc

IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA

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IS43DR16160B-3DBLI
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Integrated Silicon Solution Inc

DRAM 256Mb, 1.8V, 333MHz 16Mx16 DDR2 SDRAM

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DRAM 256Mb, 1.8V, 333MHz 16M x 16 DDR2

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IS43DR16160B-3DBLI
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DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 16M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA (Alt: IS43DR16160B-3DBLI)

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DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 16M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA - Bulk (Alt: IS43DR16160B-3DBLI)

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DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 16M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA (Alt: IS43DR16160B-3DBLI)

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DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 16M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA T/R - Tape and Reel (Alt: IS43DR16160B-3DBLI-TR)

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DRAM Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA

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DRAM Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA

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Integrated Silicon Solution Inc

DRAM Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA T/R

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IS43DR16160B-3DBLI
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Integrated Silicon Solution Inc

SDRAM, DDR2, 256MBIT, 1.8V, 84BGA

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IS43DR16160B-3DBLI ISSI 动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 333MHz 16M x 16 DDR2 查看库存、价格及货期
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无图IS43DR16160B-3DBLI
ISSI
动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 333MHz 16M x 16 DDR2
Rohs

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无图IS43DR16160B-3DBLI-TR
ISSI
动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 333MHz 16M x 16 DDR2
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IS43DR16160B-3DBLI
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS43DR16160B-3DBLI
2253822

INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)

芯片, 存储器, SDRAM, DDR2, 256MB, 1.8V, 84BGA

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16160B-3DBLI-TR - IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA

详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 450ps 84-TWBGA(8x12.5)

型号:IS43DR16160B-3DBLI-TR
仓库库存编号:IS43DR16160B-3DBLI-TR-ND

无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16160B-3DBLI - IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84BGA

详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 450ps 84-TWBGA(8x12.5)

型号:IS43DR16160B-3DBLI
仓库库存编号:IS43DR16160B-3DBLI-ND

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IS43DR16160B-3DBLI|ISSIIS43DR16160B-3DBLI
ISSI
动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 333MHz 16M x 16 DDR2
Rohs

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IS43DR16160B-3DBLI-TR|ISSIIS43DR16160B-3DBLI-TR
ISSI
动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 333MHz 16M x 16 DDR2
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IS43DR16160B-3DBLI|ISSI
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IS43DR16160B-3DBLI
制造商型号: IS43DR16160B-3DBLI
制造商: ISSI
描述: 动态随机存取存储器 256Mb, 1.8V, 333MHz 16M x 16 DDR2
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
制造商:ISSI
RoHS: 符合
组织:16 M x 16
封装 / 箱体:BGA-84
存储容量:256 MB
最大时钟频率:333 MHz
访问时间:3 ns
电源电压-最大:1.9 V
电源电压-最小:1.7 V
最大工作温度:+ 95 C
封装:Tray
最小工作温度:- 40 C
安装风格:SMD/SMT

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