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| IRLU7807ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 43A 13.8mOhm 30V 7nC Qg log lvl RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRLU7807ZPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N Ch., 30V, 43A, 13.8 MOHM, 7 NC QG, I-PAK, Pb-Free RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRLU7807ZPB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，30V，43A，HEXFET，IPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 43A I-PAK 详细描述：通孔 N 沟道 30V 43A（Tc） 40W（Tc） I-Pak 型号：IRLU7807ZPBF 仓库库存编号：IRLU7807ZPBF-ND 别名：*IRLU7807ZPBF <br>SP001568878 <br> |  | 搜索 |
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 | IRLU7807ZPBF International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 43A I-PAK | 查价格库存 查看详细 |
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 | IRLU 7807ZPBF International Rectifier | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IRLU7807ZPB International Rectifier | MOSFET，N沟道，30V，43A，HEXFET，IPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRLU7807ZPBF INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N沟道 40W I-PAK | 查价格库存 查看详细 |
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| IRLU7807ZPBF INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N沟道 40W I-PAK | 查价格库存 查看详细 |
| IRLU7807ZPB International Rectifier | MOSFET，N沟道，30V，43A，HEXFET，IPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 9.8 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7.1 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 780 pF V @ 15 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 2.3mm | |
| 封装类型 | IPAK | |
| 尺寸 | 6.6 x 2.3 x 6.1mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 40000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.014 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 43 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 高度 | 6.1mm |
