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International Rectifier - IRLR3714Z - MOSFET N-CH 20V 37A DPAK - IRLR3714Z
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IRLR3714ZPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 4.7nC

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IRLR3714ZTRLPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT 20V 37A 15mOhm 4.7nC Qg log lvl

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IRLR3714ZTRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 4.7nC

RoHS: Compliant

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Infineon Technologies AG

MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 4.7nC

RoHS: Compliant

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IRLR3714ZTRPBF
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 20V 37A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R (Alt: IRLR3714ZTRPBF)

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Infineon Technologies AG

IRLR3714ZPBF N-channel MOSFET Transistor, 37 A, 20 V, 3-Pin DPAK

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IRLR3714ZTRPBF
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Infineon Technologies AG

MOSFET, 20V, 37A, 15 MOHM, 4.7 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK

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MOSFET, 20V, 37A, 15 MOHM, 4.7 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK

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MOSFET, 20V, 37A, 15 MOHM, 4.7 NC QG, LOGIC LEVEL, D-PAK

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IRLR3714Z International Rectifier MOSFET N-CH 20V 37A DPAK 查看库存、价格及货期
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Infineon - IRLR3714ZPBF - Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLR3714ZPBF, 37 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
IRLR3714ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7222
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无图IRLR3714ZPB
International Rectifier
MOSFET,N沟道,20V,37A,HEXFET,DPAK
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRLR3714ZPBF
INFINEON IRLR3714ZPBF
1436991

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 20 V, 15 mohm, 10 V, 2.1 V

(EN)
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Infineon Technologies - IRLR3714ZPBF - MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 37A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 37A(Tc) 35W(Tc) D-Pak

型号:IRLR3714ZPBF
仓库库存编号:IRLR3714ZPBF-ND
别名:*IRLR3714ZPBF
SP001578822
无铅

Infineon Technologies - IRLR3714ZTRL - MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 37A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 37A(Tc) 35W(Tc) D-Pak

型号:IRLR3714ZTRL
仓库库存编号:IRLR3714ZCTL-ND
别名:*IRLR3714ZTRL
IRLR3714ZCTL
含铅
IRLR3714Z|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRLR3714Z
制造商型号: IRLR3714Z
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
数据列表 IRLR3714Z, IRLU3714Z
产品相片 TO-263
标准包装  75
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)37A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)15 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.55V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)7.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)560pF @ 10V
功率 - 最大值35W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装D-Pak
其它名称*IRLR3714Z

旗下站点www.szcwdz.com相关详细信息: IRLR3714Z
旗下站点www.szcwdz.com.cn相关详细信息: IRLR3714Z
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