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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRLML2502PBF - 场效应管 MOSFET N SOT-23 - IRLML2502PBF
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IRLML2502PBF International Rectifier TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,4.2A I(D),SOT-233
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型号 制造商 描述 操作
IRLML2502PBF
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International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: N Power dissipation: 1.25 W

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型号 制造商 描述 操作
IRLML2502PBF
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International Rectifier

MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-23

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IRLML2502PBF INTERNATIONAL RECTIFIER 场效应管 MOSFET N SOT-23 查看库存、价格及货期
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IRLML2502PBF|INTERNATIONAL RECTIFIERIRLML2502PBF
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET N SOT-23
Rohs

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IRLML2502PBF
INFINEON IRLML2502PBF
9102981

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 20 V, 45 mohm, 4.5 V, 1.2 V

(EN)
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IRLML2502PBF
INFINEON IRLML2502PBF
9102981RL

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 20 V, 45 mohm, 4.5 V, 1.2 V

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Infineon - IRLML2502PBF - Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2502PBF, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号:
IRLML2502PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
610-6693
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IRLML2502PBF|INTERNATIONAL RECTIFIERIRLML2502PBF
INTERNATIONAL RECTIFIER
场效应管 MOSFET N SOT-23
Rohs

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IR - IRLML2502PBF - MOSFET N, 20 V 4.2 A 1.25 W SOT-23, IRLML2502PBF, IR
IR
MOSFET N, 20 V 4.2 A 1.25 W SOT-23, IRLML2502PBF, IR


型号:IRLML2502PBF
仓库库存编号:171-39-652

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IRLML2502PBF|INTERNATIONAL RECTIFIER
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRLML2502PBF
制造商型号: IRLML2502PBF
制造商: INTERNATIONAL RECTIFIER
描述: 场效应管 MOSFET N SOT-23
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  原厂原装货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线:销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N SOT-23
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 4.2A
  • 漏源电压, Vds: 20V
  • 在电阻RDS(上): 45mohm
  • 电压 @ Rds测量: 4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.2V
  • 功耗, Pd: 1.25W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-23
  • 针脚数: 3
  • MSL: (暂无信息)
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • SMD标号: 1G
  • 上升时间: 10ns
  • 下降时间: 26s
  • 功耗, Pd: 1.25W
  • 功耗, Pd: 1.25W
  • 器件标记: IRLML2502PBF
  • 外宽: 3.05mm
  • 外部深度: 2.5mm
  • 外部长度/高度: 1.12mm
  • 封装/箱盒: SOT-23
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 带子宽度: 8mm
  • 时间, trr 典型值: 16ns
  • 晶体管数: 1
  • 栅极电荷 Qg N沟道: 12nC
  • 温度 @ 电流测量: 25°C
  • 满功率温度: 25°C
  • 漏极电流, Id 最大值: 4.2A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
  • 电压, Vds 典型值: 20V
  • 电压, Vgs 最高: 1.2V
  • 电容值, Ciss 典型值: 740pF
  • 电流, Idm 脉冲: 33A
  • 电流, Idss 最大: 1μA
  • 电荷, Qrr @ Tj = 25°C 典型值: 8.6nC
  • 结温, Tj 最大值: 150°C
  • 结温, Tj 最小值: -55°C
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 0.6V
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 1.2V
产地: MY Malaysia

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