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International Rectifier - IRLL3303PBF - MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 - IRLL3303PBF
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IRLL3303PBF
库存编号:IRLL3303PBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT2230
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IRLL3303TRPBF
库存编号:IRLL3303PBFTR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT2230
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IRLL3303TRPBF
库存编号:IRLL3303PBFCT-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT2230
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IRLL3303TRPBF
库存编号:IRLL3303PBFDKR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT2230
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MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223

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MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 34nC

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Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube

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Trans MOSFET, N-CH 30V, 4.6A, 31mOHM, 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Pb free (Alt: IRLL3303PBF)

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IRLL3303PBF-EL
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Trans MOSFET, N-CH 30V, 4.6A, 31mOHM, 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Pb free EL - Rail/Tube (Alt: IRLL3303PBF)

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Trans MOSFET, N-CH 30V, 4.6A, 31mOHM, 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Pb free EL (Alt: IRLL3303PBF-EL)

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Trans MOSFET N-CH Si 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube

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MOSFET, N, 30V, 4.6A, SOT-223

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MOSFET, N, 30V, 4.6A, SOT-223

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Single N-Channel 30 V 31 mOhm 34 nC HEXFET? Power Mosfet - SOT-223

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IRLL3303PBF
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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 0.031Ohm, ID 4.6A, SOT-223, PD 1W, VGS +/-16V

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IRLL3303PBF
[更多]		 International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: N Power dissipation: 2.1 W

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IRLL3303PBF
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, logic level, 30V, 4.6A, 1W, SOT223

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IRLL3303PBF International Rectifier MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 查看库存、价格及货期
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无图IRLL 3303PBF
International Rectifier		原厂原装货
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IRLL3303PBF|International RectifierIRLL3303PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
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International Rectifier		MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRLL3303PBF
INFINEON IRLL3303PBF		8651248

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 30 V, 31 mohm, 10 V, 1 V

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IRLL3303PBF
INFINEON IRLL3303PBF		8651248RL

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 4.6 A, 30 V, 31 mohm, 10 V, 1 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRLL3303PBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL3303PBF, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
制造商零件编号：
IRLL3303PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
540-9890
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IRLL3303PBF|International RectifierIRLL3303PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
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IR - IRLL3303PBF - MOSFET N, 30 V 4.6 A 2.1 W SOT-223, IRLL3303PBF, IR		IR
MOSFET N, 30 V 4.6 A 2.1 W SOT-223, IRLL3303PBF, IR

型号：IRLL3303PBF
仓库库存编号：171-19-118

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IRLL3303PBF|International Rectifier
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRLL3303PBF
制造商型号： IRLL3303PBF
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
数据列表 IRLL3303PbF
产品相片 SOT223-3L
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源 IRLL3303TR Saber Model
IRLL3303TR Spice Model
PCN Design/Specification SOT-223 FET Wire 04/Jul/2013
标准包装  80
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）4.6A （Ta）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）31 毫欧 @ 4.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)50nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)840pF @ 25V
功率 - 最大值1W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装SOT-223

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