PDF查询| 数据列表 | IRLBD59N04E |
|---|---|
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 59A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 18 毫欧 @ 35A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 50nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2190pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 130W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA |
| 供应商器件封装 | TO-263-5 |
