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| IRL1004SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 66.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRL1004SPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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| 制造商零件编号： IRL1004SPBF 品牌： Infineon 库存编号： 541-2127 | 搜索 |
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IRL1004SPBF | 8650861 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 40 V, 6.5 mohm, 10 V, 1 V  (EN) | 搜索 |
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 | IR MOSFET N, 40 V 110 A 150 W D2PAK, IRL1004SPBF, IR 型号：IRL1004SPBF 仓库库存编号：171-17-724 | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IRL1004SPbF, IRL1004LPbF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 130A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 6.5 毫欧 @ 78A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 100nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5330pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRL1004SPBF |
