PDF查询| 数据列表 | IRG(B,S,SL)4B60KD1PbF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| IGBT 类型 | NPT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.5V @ 15V，4A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 11A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 22A |
| 功率 - 最大值 | 63W |
| Switching Energy | 120µJ |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 12nC |
| Td (on/off) A 25°C | 22ns/100ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 100 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 93ns |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRGS4B60KD1TRLP-ND IRGS4B60KD1TRLPTR |
