PDF查询| 数据列表 | IRG7PH42UD1M |
|---|---|
| 标准包装 | 25 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | 沟道 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 85A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
| 功率 - 最大值 | 313W |
| Switching Energy | 1.21mJ （关） |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 270nC |
| Td (on/off) A 25°C | -/270ns |
| Test Condition | 600V, 30A, 10 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-247-3（TO-247AD） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247AD |
